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长鑫存储请求一种半导体结构及其制造的进程专利供给一种新的 2T0C 的半导体结构
发表时间: 来源:水处理工程

  金融界 2024 年 10 月 30 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,长鑫存储技能有限公司请求一项名为“一种半导体结构及其制造的进程”的专利,揭露号 CN 118829193 A,请求日期为 2023 年 4 月。

  专利摘要显现,本揭露施行例触及半导体范畴,供给一种半导体结构及其制造的进程,其间,半导体结构包含:具有相对的榜首面和第二面的榜首晶圆,榜首晶圆包含榜首栅极、榜首源极和榜首漏极,榜首栅极的顶面与榜首面齐平,榜首栅极的顶面高于榜首源极的顶面,榜首漏极坐落榜首栅极接近第二面的一侧;具有相对的第三面和第四面的第二晶圆,第四面与榜首面正对且相键合,第二晶圆包含第二栅极、第二源极和第二漏极,第二源极更接近第三面,第二栅极的顶面低于第二源极的底面,第二漏极与榜首栅极电衔接。可以给我们供给一种新的 2T0C 的半导体结构。

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