金融界 2024 年 8 月 20 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，台湾积体电路制作股份有限公司请求一项名为“半导体器材及其构成办法“，公开号 CN9.8 ，请求日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显现，器材包含：半导体沟道的堆叠件；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；源极/漏极触摸件，坐落源极/漏极区域上；以及栅极距离件，坐落源极/漏极触摸件和栅极结构之间。栅极距离件包含：榜首距离件层，与栅极结构触摸；以及第二距离件层，坐落榜首距离件层和源极/漏极触摸件之间，第二距离件层具有坐落堆叠件上的榜首部分和坐落榜首部分上的第二部分，第二部分薄于榜首部分。本请求的施行例还触及半导体器材及其构成办法。
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